截至10:07，上證科創(chuàng)板芯片設計主題指數上漲3.1%，成份股中，海光信息漲超9%，芯朋微、盛科通信-U漲超7%，瀾起科技漲超5%。

消息面上，2026年一季度存儲芯片價格漲幅遠超預期，常規(guī)DRAM合約價漲幅從年初預估的55%至60%，一路上調至90%至95%；NAND Flash合約價漲幅也從33%至38%上調至55%至60%。進入二季度，集邦咨詢預計DRAM合約價將環(huán)比上漲58%至63%，NAND漲勢則進一步擴大。

此外，半導體產業(yè)整體正進入“量價齊升”的景氣周期。AI服務器對高帶寬存儲需求激增，半導體國產化進程提速，龍頭公司一季度營收同比大增，在存儲漲價和國產化雙輪驅動下，芯片設計企業(yè)盈利預期持續(xù)上修。

上證科創(chuàng)板芯片設計主題指數聚焦芯片設計領域，數字芯片設計行業(yè)占比超75%，模擬芯片設計行業(yè)占比近20%，前十大權重股包括瀾起科技、海光信息、芯原股份、佰維存儲、寒武紀等產業(yè)鏈核心標的。投資者可通過科創(chuàng)芯片設計ETF易方達（589030）一鍵布局芯片產業(yè)投資機遇。